国产半导体设备大厂中微连发四款重磅新品

3月25日，全球半导体盛会SEMICON China 2026期间，国产半导体设备大厂中微公司（688012）重磅发力，一口气推出四款新产品，全面覆盖硅基及化合物半导体关键工艺，夯实平台化发展根基，加速高端半导体设备国产替代进程。

此次发布的四款新品分别是：新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器，以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®，进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合，强化系统化解决方案能力。

Primo Angnova™：破解5nm及以下节点高深宽比刻蚀难题

随着逻辑芯片向5纳米及以下节点迈进，先进存储芯片对高深宽比刻蚀的要求愈发严苛，刻蚀精度、均匀性等成为行业核心挑战。Primo Angnova™ ICP单腔刻蚀系统，正是为应对这些挑战量身打造。

该产品采用中心抽气设计，配备业界领先的对称气流控制阀、高流导和高速分子泵系统，可实现极高的反应气体通量，大幅扩展反应腔体压力控制范围。功率源与等离子体方面，其集成中微公司自主知识产权的第二代LCC射频线圈和直流磁场辅助线圈MFTR，搭配先进四段脉冲控制，可实现离子浓度与离子能量的高精度独立控制；搭载的超低频射频等离子体源，能产生极高离子能量，显著增强高深宽比ICP刻蚀处理能力。

温度控制上，Primo Angnova™采用超过200区独立温控的Durga III ESC静电吸盘，结合晶圆边缘连续AEIT设计，实现优异的片内刻蚀均匀性。系统集成方面，其搭载成熟的Primo C6V3传送平台，最多可配置6个主刻蚀腔体与2个LL Strip除胶腔体，有效降低综合运行成本。

这款新品的推出，为5纳米及以下逻辑芯片、同等难度先进存储芯片制造，提供了自主可控、技术领先的ICP刻蚀解决方案，助力客户提升先进制程产能、降低生产成本。

Primo Domingo™：攻克GAA与3D-DRAM高选择比刻蚀瓶颈

芯片架构三维化是芯片持续缩微的核心动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的关键。针对GAA、3D NAND、DRAM等器件工艺需求，中微公司推出Primo Domingo™高选择性刻蚀设备，填补国内相关领域自主化空白。

该产品采用全对称腔体结构与优化流场设计，整合气体注入、温度控制、压力调控等关键环节，确保晶圆刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。独特的集成气柜设计，缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制；内部采用高抗腐蚀管路与特殊涂层材料，应对高活性刻蚀气体，保障设备长期稳定运行。

此外，Primo Domingo™配备双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，进一步提升刻蚀均匀性与稳定性；同样搭载Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，适配不同刻蚀应用需求，为客户打造更高性能、更小尺寸的器件提供关键设备支撑。

Smart RF Match：实现等离子体控制从“被动”到“主动”的跨越

Smart RF Match智能射频匹配器，是中微公司在高端半导体刻蚀设备关键子系统的重大创新，专为半导体前道制程（介质刻蚀、硅刻蚀等）及先进封装、MEMS等精密刻蚀场景设计，用于实现腔体内稳定的等离子体生成与控制。

它首次在半导体设备领域引入射频回路专网概念，通过EtherCAT实现射频电源与智能匹配器之间的实时精准信号传输，让匹配器从被动响应变为主动设备，可在调节匹配网络的同时，向射频电源下发控制指令。

基于自主知识产权的智能射频匹配控制算法，该产品可实现微秒级射频环境响应，实时自动调节阻抗，确保射频能量高效稳定传输，匹配速度比传统匹配器快百倍以上。客户端实测显示，与传统方案相比，其射频信号匹配速度提升225%，整体刻蚀效率提高15%，直接提升设备产能与工艺一致性。

Preciomo Udx®：助力Micro LED实现规模化量产

针对Micro LED量产对高波长均匀性、低颗粒度的严苛要求，中微公司推出Preciomo Udx® MOCVD设备，采用全新设计理念，突破现有垂直气流技术路线，为Micro LED量产提供关键支撑。

这款拥有自主知识产权的设备，采用新型水平式双旋转反应室结构，通过温场与流场仿真设计及硬件、工艺优化，显著提升波长均匀性；最多可配置两个反应腔，可同时加工18片6英寸或12片8英寸氮化镓蓝绿光Micro LED外延片，每个反应腔可独立控制，灵活性极强。

同时，Preciomo Udx®配备符合集成电路行业标准的EFEM和SMIF系统，实现片盒到片盒的全自动化传输，有效降低外延片颗粒数；结合业界领先的单腔产能与基于模型的温度控制系统，凭借优异的波长均匀性、低缺陷密度，完美满足Micro LED量产的严苛要求。

自2004年成立以来，中微公司坚持技术创新，将新产品开发周期从3-5年缩短至2年以内，2025年开发项目涵盖六大类、超二十款新设备。此次四款新品的推出，进一步完善产品矩阵，推动公司向高端半导体设备平台化企业迈进，为2035年跻身全球第一梯队奠定基础。

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